%0 article
%A Марончук И. И., 
%A Саникович Д. Д., 
%A Вельченко А. А., 
%T ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ВЫРАЩЕННЫХ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ ГЕРМАНИЯ
%D 2017
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки по двум структурным схемам выращены образцы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками Ge в матрице GaP на Si-подложках. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 77 и 300 К при возбуждении лазерным излучением с λ = 4880 и 5145 Å. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения наноструктур с квантовыми точками. Выявлено, что для уменьшения безызлучательной рекомбинации в многослойных p-n-структурах необходимо создавать массивы квантовых точек в объеме p- и n-областей, а не в центральной части обедненного слоя p-n-перехода. Показано, что теоретические энергии для квантовых точек Ge рассчитанных размеров сопоставимы с энергией их максимумов фотолюминесценции.
%U https://www.academjournals.by/publication/16482