@article{Марончук И. И.2025-03-12,
author = { Марончук И. И.,  Саникович Д. Д.,  Вельченко А. А.},
title = {ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ВЫРАЩЕННЫХ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ ГЕРМАНИЯ},
year = {2017},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки по двум структурным схемам выращены образцы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками Ge в матрице GaP на Si-подложках. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 77 и 300 К при возбуждении лазерным излучением с λ = 4880 и 5145 Å. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения наноструктур с квантовыми точками. Выявлено, что для уменьшения безызлучательной рекомбинации в многослойных p-n-структурах необходимо создавать массивы квантовых точек в объеме p- и n-областей, а не в центральной части обедненного слоя p-n-перехода. Показано, что теоретические энергии для квантовых точек Ge рассчитанных размеров сопоставимы с энергией их максимумов фотолюминесценции.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/16482},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/16436},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}