RT - article
SR - Electronic
T1 - ОЖЕ-РЕКОМБИНАЦИЯ И УСИЛЕННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В InAsSb/InAsSbP-СВЕТОДИОДАХ ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 10-60 К
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-03-12
A1 - Кабанов Д. М., 
A1 - Лебедок Е. В., 
A1 - Яковлев Ю. П., 
YR - 2017
UL - https://www.academjournals.by/publication/16477
AB - На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs0.88Sb0.12 рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины запрещенной зоны в интервале температур 10-313 К, а также температурная зависимость энергии спин-орбитального расщепления зоны. Установлено, что для светодиодов на основе гетероструктуры InAs0.88Sb0.12/InAsSbP в интервале температур 10-35 К наблюдается усиленная люминесценция. Резкое падение интенсивности излучения InAsSb/InAsSbP-светодиодов при температуре >32 К обусловлено интенсивным ростом CHCС-процесса оже-рекомбинации, при этом для температур