17 Кабанов Д. М. Лебедок Е. В. Яковлев Ю. П. InAsSb усиленная люминесценция оже-рекомбинация внутренний квантовый выход люминесценции InAsSb amplified luminescence Auger recombination internal quantum yield of luminescence 2017 2025-03-12 Журнал прикладной спектроскопии На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs0.88Sb0.12 рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины запрещенной зоны в интервале температур 10-313 К, а также температурная зависимость энергии спин-орбитального расщепления зоны. Установлено, что для светодиодов на основе гетероструктуры InAs0.88Sb0.12/InAsSbP в интервале температур 10-35 К наблюдается усиленная люминесценция. Резкое падение интенсивности излучения InAsSb/InAsSbP-светодиодов при температуре >32 К обусловлено интенсивным ростом CHCС-процесса оже-рекомбинации, при этом для температур https://www.academjournals.by/publication/16477 https://www.academjournals.by/files/16431