%0 article
%A Кабанов Д. М., 
%A Лебедок Е. В., 
%A Яковлев Ю. П., 
%T ОЖЕ-РЕКОМБИНАЦИЯ И УСИЛЕННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В InAsSb/InAsSbP-СВЕТОДИОДАХ ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 10-60 К
%D 2017
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs0.88Sb0.12 рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины запрещенной зоны в интервале температур 10-313 К, а также температурная зависимость энергии спин-орбитального расщепления зоны. Установлено, что для светодиодов на основе гетероструктуры InAs0.88Sb0.12/InAsSbP в интервале температур 10-35 К наблюдается усиленная люминесценция. Резкое падение интенсивности излучения InAsSb/InAsSbP-светодиодов при температуре >32 К обусловлено интенсивным ростом CHCС-процесса оже-рекомбинации, при этом для температур 
%U https://www.academjournals.by/publication/16477