@article{Кабанов Д. М.2025-03-12,
author = { Кабанов Д. М.,  Лебедок Е. В.,  Яковлев Ю. П.},
title = {ОЖЕ-РЕКОМБИНАЦИЯ И УСИЛЕННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В InAsSb/InAsSbP-СВЕТОДИОДАХ ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 10-60 К},
year = {2017},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs0.88Sb0.12 рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины запрещенной зоны в интервале температур 10-313 К, а также температурная зависимость энергии спин-орбитального расщепления зоны. Установлено, что для светодиодов на основе гетероструктуры InAs0.88Sb0.12/InAsSbP в интервале температур 10-35 К наблюдается усиленная люминесценция. Резкое падение интенсивности излучения InAsSb/InAsSbP-светодиодов при температуре >32 К обусловлено интенсивным ростом CHCС-процесса оже-рекомбинации, при этом для температур },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/16477},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/16431},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}