<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Бордун О. М.</author>
     <author>Бордун Б. О.</author>
     <author>Кухарский И. И.</author>
     <author>Медвидь И. И.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК b-Ga&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>окись галлия</keyword>
    <keyword>тонкая пленка</keyword>
    <keyword>фотолюминесценция</keyword>
    <keyword>gallium oxide</keyword>
    <keyword>thin films</keyword>
    <keyword>photoluminescence</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2017</year>
    <pub-dates>
     <date>2025-03-12</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Исследованы спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения тонких пленок b-Ga2O3, полученных высокочастотным ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона. Методом Аленцева-Фока проведено разложение спектров фотолюминесценции на элементарные составляющие. Рассмотрена природа двух интенсивных полос с максимумами 2.95 и 3.14 эВ, а также двух слабоинтенсивных полос с максимумами 3.90 и 4.25 эВ. Две интенсивные полосы связываются с ассоциатом, обусловленным взаимодействием вакансий кислорода и галлия, слабоинтенсивные - с рекомбинацией экситонов на квантовых ямах, сформированных акцепторными кластерами. Установлено, что постоянная времени затухании для полосы с максимумом 3.14 эВ составляет 105 мкс, а для полосы с максимумом 2.95 эВ - 114 мкс. Близость постоянных времени затухания этих полос подтверждает их связь с общим ассоциатом. </abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/16349</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/16303</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
