RT - article
SR - Electronic
T1 - СТИМУЛИРОВАННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-03-12
A1 - Свитенков И. Е., 
A1 - Павловский В. Н., 
A1 - Луценко Е. В., 
A1 - Яблонский Г. П., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Бородавченко О. М., 
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Якушев М. В., 
A1 - Мартин Р. ., 
YR - 2018
UL - https://www.academjournals.by/publication/16205
AB - Изучены стимулированное излучение, оптические свойства и структурные характеристики необлученных и облученных протонами тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, напыленных на натрийсодержащие стеклянные подложки соиспарением элементов в многостадийном процессе. Исследования пленок проведены с использованием рентгеноструктурного анализа, сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального анализа с энергетической дисперсией, низкотемпературной фотолюминесценции, оптического пропускания и отражения. В необлученных и облученных протонами тонких пленках Cu(In,Ga)Se2 обнаружено стимулированное излучение при низких температурах (~20 К) при возбуждении импульсами лазерного излучения наносекундной длительности с пороговой плотностью мощности ~20 кВт/см2. Показано, что появление и параметры стимулированного излучения сильно зависят от концентрации ионно-индуцированных дефектов в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2.