<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Свитенков И. Е.</author>
     <author>Павловский В. Н.</author>
     <author>Луценко Е. В.</author>
     <author>Яблонский Г. П.</author>
     <author>Мудрый А. В.</author>
     <author>Бородавченко О. М.</author>
     <author>Живулько В. Д.</author>
     <author>Якушев М. В.</author>
     <author>Мартин Р. .</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>СТИМУЛИРОВАННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Cu(In,Ga)Se&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>Cu(In,Ga)Se2</keyword>
    <keyword>тонкая пленка</keyword>
    <keyword>протон</keyword>
    <keyword>дефект</keyword>
    <keyword>стимулированное излучение</keyword>
    <keyword>Cu(In,Ga)Se2</keyword>
    <keyword>thin film</keyword>
    <keyword>proton</keyword>
    <keyword>defect</keyword>
    <keyword>stimulated emission</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2018</year>
    <pub-dates>
     <date>2025-03-12</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Изучены стимулированное излучение, оптические свойства и структурные характеристики необлученных и облученных протонами тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, напыленных на натрийсодержащие стеклянные подложки соиспарением элементов в многостадийном процессе. Исследования пленок проведены с использованием рентгеноструктурного анализа, сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального анализа с энергетической дисперсией, низкотемпературной фотолюминесценции, оптического пропускания и отражения. В необлученных и облученных протонами тонких пленках Cu(In,Ga)Se2 обнаружено стимулированное излучение при низких температурах (~20 К) при возбуждении импульсами лазерного излучения наносекундной длительности с пороговой плотностью мощности ~20 кВт/см2. Показано, что появление и параметры стимулированного излучения сильно зависят от концентрации ионно-индуцированных дефектов в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2. </abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/16205</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/16159</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
