<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Faheem M. .</author>
     <author>Zhang Y. .</author>
     <author>Dai X. .</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ БОРОМ НА МЕТРОЛОГИЮ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>тонкая пленка</keyword>
    <keyword>SiGe</keyword>
    <keyword>легирование бором</keyword>
    <keyword>высокоразрешающая рентгеновская дифракция</keyword>
    <keyword>масс-спектроскопия вторичных ионов</keyword>
    <keyword>thin films</keyword>
    <keyword>SiGe</keyword>
    <keyword>boron doping</keyword>
    <keyword>high-resolution X-ray diffraction</keyword>
    <keyword>secondary ion mass spectroscopy</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2018</year>
    <pub-dates>
     <date>2025-03-12</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Исследовано влияние легирования бором (B) на результаты измерений с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции (HXRD). 12 образцов пленок Si1-xGex эпитаксиально выращены на кремниевых Si (100) подложках разной толщины с различной концентрацией германия (Ge) при наличии и без добавок бора. Для измерения концентрации добавки B, содержания Ge, деформации и толщины слоев использованы методы масс-спектроскопии вторичных ионов (SIMS) и HXRD. Результаты SIMS свидетельствуют об отсутствии B в двух образцах. В остальных образцах концентрация бора [B] = 8.40´1018-8.7´1020 атомов/см3 при содержании [Ge] = 13.3-55.2 ат.%. Согласно HXRD-измерениям, толщина слоев составляет 7.07-108.13 нм при [Ge] = 12.82-49.09 ат.%. Разница в концентрации Ge, измеренной методами SIMS и HXRD, зависит от легирования бором. Для беспримесных образцов различие составляет ~0.5 ат.% и увеличивается с добавкой B, но не линейно. Для сильнолегированного бором (8.7´1020 атомов/см3) образца разница в концентрации Ge 7.11 ат.%. Легирование бором влияет на структуру Si1-xGex, вызывая изменения постоянной решетки, и создает деформации растяжения, сдвигая пики Si1-xGex к пикам подложки Si (100) в дифрактограммах HXRD. В результате правило Вегарда не действует, и это сильно влияет на измерения методом HXRD. Сравнение симметричных (004) и асимметричных (+113, +224) обратных пространственных отображений (RSM) показывает небольшое различие концентрации Ge в нелегированных и слаболегированных образцах. Однако для сильнолегированных образцов Si1-xGex изменение достигает 0.21 ат.%. В данных по RSM (+113) наблюдается небольшое уширение пика SiGe при увеличении содержания примеси B, что свидетельствует о незначительной деформации кристалла. </abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/16192</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/16146</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
