RT - article
SR - Electronic
T1 - СТЕХИОМЕТРИЯ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ЛУЧЕВЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-03-12
A1 - Телеш Е. В., 
A1 - Достанко А. П., 
A1 - Гуревич О. В., 
YR - 2018
UL - https://www.academjournals.by/publication/16175
AB - С применением инфракрасной спектрометрии исследован состав SiOх-пленок, полученных ионно-лучевым распылением (ИЛР) кремниевой и кварцевой мишеней. Пленки толщиной 150-390 нм формировали на подложках из кремния. Установлено, что увеличение парциального давления кислорода в рабочем газе, повышение температуры подложки и наличие положительного потенциала на мишени при реактивном ИЛР кремния приводят к смещению основной полосы поглощения nas в высокочастотную область и росту композиционного индекса от 1.41 до 1.85. При ИЛР кварцевой мишени стехиометрия пленок ухудшается с увеличением энергии распыляющих ионов аргона, что может быть связано с ростом скорости нанесения. Увеличение тока термоэлектронного компенсатора, повышение температуры подложки и добавка кислорода способствуют формированию SiOх-пленок с улучшенной стехиометрией.