17 Телеш Е. В. Достанко А. П. Гуревич О. В. ионно-лучевое распыление пленки диоксида кремния ИК спектроскопия стехиометрия состава ion-beam sputtering silicon dioxide films IR spectroscopy composition stoichiometry 2018 2025-03-12 Журнал прикладной спектроскопии С применением инфракрасной спектрометрии исследован состав SiOх-пленок, полученных ионно-лучевым распылением (ИЛР) кремниевой и кварцевой мишеней. Пленки толщиной 150-390 нм формировали на подложках из кремния. Установлено, что увеличение парциального давления кислорода в рабочем газе, повышение температуры подложки и наличие положительного потенциала на мишени при реактивном ИЛР кремния приводят к смещению основной полосы поглощения nas в высокочастотную область и росту композиционного индекса от 1.41 до 1.85. При ИЛР кварцевой мишени стехиометрия пленок ухудшается с увеличением энергии распыляющих ионов аргона, что может быть связано с ростом скорости нанесения. Увеличение тока термоэлектронного компенсатора, повышение температуры подложки и добавка кислорода способствуют формированию SiOх-пленок с улучшенной стехиометрией. https://www.academjournals.by/publication/16175 https://www.academjournals.by/files/16129