@article{Телеш Е. В.2025-03-12,
author = { Телеш Е. В.,  Достанко А. П.,  Гуревич О. В.},
title = {СТЕХИОМЕТРИЯ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ЛУЧЕВЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ},
year = {2018},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {С применением инфракрасной спектрометрии исследован состав SiOх-пленок, полученных ионно-лучевым распылением (ИЛР) кремниевой и кварцевой мишеней. Пленки толщиной 150-390 нм формировали на подложках из кремния. Установлено, что увеличение парциального давления кислорода в рабочем газе, повышение температуры подложки и наличие положительного потенциала на мишени при реактивном ИЛР кремния приводят к смещению основной полосы поглощения nas в высокочастотную область и росту композиционного индекса от 1.41 до 1.85. При ИЛР кварцевой мишени стехиометрия пленок ухудшается с увеличением энергии распыляющих ионов аргона, что может быть связано с ростом скорости нанесения. Увеличение тока термоэлектронного компенсатора, повышение температуры подложки и добавка кислорода способствуют формированию SiOх-пленок с улучшенной стехиометрией. },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/16175},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/16129},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}