<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Бумай Ю. А.</author>
     <author>Валеев В. Ф.</author>
     <author>Головчук В. И.</author>
     <author>Гумаров А. И.</author>
     <author>Лукашевич М. Г.</author>
     <author>Нуждин В. И.</author>
     <author>Оджаев В. Б.</author>
     <author>Харченко А. А.</author>
     <author>Хайбуллин Р. И.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>СПЕКТРЫ ПРОПУСКАНИЯ И ОТРАЖЕНИЯ ОКСИДА ЦИНКА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КОБАЛЬТА С ВЫСОКОЙ ДОЗОЙ</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>оксид цинка</keyword>
    <keyword>ионная имплантация</keyword>
    <keyword>ион кобальта</keyword>
    <keyword>оптические свойства</keyword>
    <keyword>показатель преломления</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2019</year>
    <pub-dates>
     <date>2020-03-17</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Представлены оптические спектры пропускания и отражения монокристаллических пластинок оксида цинка (ZnO), имплантированного ионами Co+ с энергией 40 кэВ и высокими дозами (0.5-1.5) × 1017 см-2. В спектрах пропускания наблюдаются снижение пропускания с ростом дозы имплантации, а также сдвиг края оптического пропускания в длинноволновую область и три полосы поглощения в диапазоне 550-680 нм. Полосы и их положения характерны для оптически активных ионов Со2+, находящихся в позициях замещения катионов цинка в матрице ZnO. Коэффициент отражения при регистрации с имплантированной стороны пластинки ZnO монотонно возрастает с увеличением дозы. Как в исходных, так и в имплантированных пластинках ZnO при регистрации спектров отражения c обратной (необлученной) стороны наблюдается характерная структура при λ = 375 нм, обусловленная экситонным отражением. Моделирование величин пропускания и отражения света в имплантированных кобальтом образцах ZnO проведено в рамках трехслойной модели, в которой первый поверхностный слой содержит нановключения кобальта, второй, более заглубленный слой представляет собой твердый раствор замещения ионов кобальта в матрице ZnO, третий слой - оставшаяся, необлученная часть пластинки ZnO. В результате моделирования определены эффективные показатели преломления двух слоев ZnO, содержащих имплантированную примесь кобальта в различных фазовых состояниях.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/16052</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/16006</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
