17 Liang Wang F. . Luo X. . Li Q. . Lin T. . Ferguson I. T. Yang Q. . Wan L. . Feng Z. C. тонкая пленка InSb спектроскопическая эллипсометрия показатель преломления экстинкция диэлектрическая проницаемость InSb thin film spectroscopic ellipsometry refractive index extinction coefficient dielectric function 2019 2025-03-12 Журнал прикладной спектроскопии Тонкие пленки InSb выращены на подложках GaAs методом химического осаждения из газовой фазы путем термического разложения и исследованы с помощью температурно-зависимой спектроскопической эллипсометрии (TD-SE). Найдены показатель преломления, коэффициент экстинкции и диэлектрическая проницаемость пленок InSb. Изменение энергий критических точек (E1, E1 + Δ1, E2, E1'), связанное с переходами InSb в возбужденном состоянии, и вторых производных диэлектрической функции по энергии при разных температурах показывает, что тонкая пленка InSb обладает высокой стабильностью электрических и оптических свойств в исследуемом температурном диапазоне. Анализ TD-SE позволил установить область температур для использования устройств на основе InSb/GaAs. Выше 250oC InSb интенсивно окисляется, образуя тонкий слой In-O, вызывающий значительное изменение оптических констант. Показано, что оптимизированные тонкие пленки InSb, выращенные на подложках GaAs, обладают хорошими оптическими и структурными свойствами. https://www.academjournals.by/publication/16025 https://www.academjournals.by/files/15979