RT - article
SR - Electronic
T1 - АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КИСЛОРОДА И ГЕЛИЯ, МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-03-12
A1 - Базаров В. В., 
A1 - Нуждин В. И., 
A1 - Валеев В. Ф., 
A1 - Лядов Н. М., 
YR - 2019
UL - https://www.academjournals.by/publication/16006
AB - Представлены результаты исследований методом спектральной эллипсометрии поверхности кремния, имплантированного ионами кислорода в интервале доз 7.5 × 1014-3.7 × 1016 ион/см2 и ионами гелия в интервале доз 6 × 1016-6 × 1017 ион/см2 с энергией 40 кэВ при постоянной плотности тока в ионном пучке 2 мкА/см2 и комнатной температуре облучаемых подложек. Получены зависимости толщины имплантированного слоя в облученных пластинах и степени его аморфизации от дозы ионной имплантации.