17 Базаров В. В. Нуждин В. И. Валеев В. Ф. Лядов Н. М. аморфный кремний ионная имплантация спектральная эллипсометрия amorphous silicon ion implantation spectral ellipsometry 2019 2025-03-12 Журнал прикладной спектроскопии Представлены результаты исследований методом спектральной эллипсометрии поверхности кремния, имплантированного ионами кислорода в интервале доз 7.5 × 1014-3.7 × 1016 ион/см2 и ионами гелия в интервале доз 6 × 1016-6 × 1017 ион/см2 с энергией 40 кэВ при постоянной плотности тока в ионном пучке 2 мкА/см2 и комнатной температуре облучаемых подложек. Получены зависимости толщины имплантированного слоя в облученных пластинах и степени его аморфизации от дозы ионной имплантации. https://www.academjournals.by/publication/16006 https://www.academjournals.by/files/15960