<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Толкачёв В. А.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Особенности определения чисто электронного перехода по диффузным спектрам поглощения или испускания при низких температурах</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>электронный спектр</keyword>
    <keyword>чисто электронный переход</keyword>
    <keyword>низкотемпературный спектр</keyword>
    <keyword>неоднородность уширения</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2020</year>
    <pub-dates>
     <date>2020-11-28</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Показано, что снижение температуры из-за уменьшения заселенностей “горячих”, необходимых для переходов в антистоксовых областях состояний, сужает область, в которой рассматриваемым методом локализуется частота чисто электронного перехода. Соответственно, возрастает чувствительность к неоднородности ансамбля хромофоров, определяющего спектр. На данных эксперимента рассмотрены примеры изменения индикации положения частоты чисто электронного перехода в спектрах поглощения и испускания при снижении температуры.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15977</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15931</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
