<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Бринкевич С. Д.</author>
     <author>Бринкевич Д. И.</author>
     <author>Просолович В. С.</author>
     <author>Ластовский С. Б.</author>
     <author>Петлицкий А. Н.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>спектр нарушенного полного внутреннего отражения</keyword>
    <keyword>диазохинон-новолачный фоторезист</keyword>
    <keyword>облучение</keyword>
    <keyword>электрон</keyword>
    <keyword>кремний</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2020</year>
    <pub-dates>
     <date>2020-11-27</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы радиационно-индуцированные эффекты в тонких пленках диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии, облученных высокоэнергетическими ~5 МэВ электронами. Установлено, что облучение электронами дозой &amp;gt;3 • 1015 см-2 приводит к снижению интегрального поглощения в диапазоне волновых чисел 3700—400 см-1. При электронном облучении наиболее сильно снижается интенсивность полос, обусловленных колебаниями -О-Н- и особенно алифатических -С-Н-связей. При дозе Ф = 1 • 1017 см-2 интенсивность полос, связанных с метиленовыми (-СН2-) и метильными (-СН3) группами, сравнима с уровнем шума. Интенсивность полосы ~1600 см-1, обусловленной валентными колебаниями ароматического кольца, не изменяется в диапазоне доз облучения 3 • 1014— 1 • 1017 см-2. Полученные экспериментальные данные указывают на интенсивную сшивку полимерных компонент фоторезистов при облучении электронами. Установлено, что радиационно-индуцированные изменения спектров НПВО зависят от типа фоторезистов (ФП9120 и S1813 G2 SP15). Экспериментальные закономерности изменения оптических характеристик тонких пленок фоторезистов, облученных электронами, объяснены с учетом особенностей радиационной химии диазохинон-новолачных смол.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15967</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15921</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
