%0 article
%A Бринкевич С. Д., 
%A Бринкевич Д. И., 
%A Просолович В. С., 
%A Ластовский С. Б., 
%A Петлицкий А. Н., 
%T Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста
%D 2020
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы радиационно-индуцированные эффекты в тонких пленках диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии, облученных высокоэнергетическими ~5 МэВ электронами. Установлено, что облучение электронами дозой >3 • 1015 см-2 приводит к снижению интегрального поглощения в диапазоне волновых чисел 3700—400 см-1. При электронном облучении наиболее сильно снижается интенсивность полос, обусловленных колебаниями -О-Н- и особенно алифатических -С-Н-связей. При дозе Ф = 1 • 1017 см-2 интенсивность полос, связанных с метиленовыми (-СН2-) и метильными (-СН3) группами, сравнима с уровнем шума. Интенсивность полосы ~1600 см-1, обусловленной валентными колебаниями ароматического кольца, не изменяется в диапазоне доз облучения 3 • 1014— 1 • 1017 см-2. Полученные экспериментальные данные указывают на интенсивную сшивку полимерных компонент фоторезистов при облучении электронами. Установлено, что радиационно-индуцированные изменения спектров НПВО зависят от типа фоторезистов (ФП9120 и S1813 G2 SP15). Экспериментальные закономерности изменения оптических характеристик тонких пленок фоторезистов, облученных электронами, объяснены с учетом особенностей радиационной химии диазохинон-новолачных смол.
%U https://www.academjournals.by/publication/15967