@article{Бринкевич С. Д.2020-11-27,
author = { Бринкевич С. Д.,  Бринкевич Д. И.,  Просолович В. С.,  Ластовский С. Б.,  Петлицкий А. Н.},
title = {Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста},
year = {2020},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы радиационно-индуцированные эффекты в тонких пленках диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии, облученных высокоэнергетическими ~5 МэВ электронами. Установлено, что облучение электронами дозой >3 • 1015 см-2 приводит к снижению интегрального поглощения в диапазоне волновых чисел 3700—400 см-1. При электронном облучении наиболее сильно снижается интенсивность полос, обусловленных колебаниями -О-Н- и особенно алифатических -С-Н-связей. При дозе Ф = 1 • 1017 см-2 интенсивность полос, связанных с метиленовыми (-СН2-) и метильными (-СН3) группами, сравнима с уровнем шума. Интенсивность полосы ~1600 см-1, обусловленной валентными колебаниями ароматического кольца, не изменяется в диапазоне доз облучения 3 • 1014— 1 • 1017 см-2. Полученные экспериментальные данные указывают на интенсивную сшивку полимерных компонент фоторезистов при облучении электронами. Установлено, что радиационно-индуцированные изменения спектров НПВО зависят от типа фоторезистов (ФП9120 и S1813 G2 SP15). Экспериментальные закономерности изменения оптических характеристик тонких пленок фоторезистов, облученных электронами, объяснены с учетом особенностей радиационной химии диазохинон-новолачных смол.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15967},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15921},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}