17 Свитенков И. Е. Павловский В. Н. Луценко Е. В. Яблонский Г. П. Мудрый А. В. Бородавченко О. М. Живулько В. Д. Якушев М. В. Cu(In Ga)Se2 тонкая пленка облучение протонами доза дефект фотолюминесценция стимулированное излучение солнечный элемент 2020 2020-11-27 Журнал прикладной спектроскопии Исследованы спонтанное и стимулированное излучение (СИ) тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, осажденных на натрийсодержащие стеклянные подложки и облученных протонами с энергиями 2.5 кэВ дозами 1014—1017 см-2 при возбуждении импульсами лазерного излучения наносекундной длительности в диапазоне плотности мощности 5—100 кВт/см2. В пленках, облученных протонами с дозами 1014—1015 см-2, обнаружено увеличение интенсивности и уменьшение порога появления СИ по сравнению с необлученными пленками. При дозе облучения 1016 см-2 наблюдаются увеличение порога СИ и уменьшение интенсивности. После облучения дозой 1017 см-2 интенсивность излучения резко падает и порог СИ не достигается. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых эффектов. https://www.academjournals.by/publication/15962 https://www.academjournals.by/files/15916