PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Zhang Y. , 
AU - Wang K. , 
AU - Wang H. , 
AU - Tian Y. , 
AU - Wang Y. , 
AU - Li J. , 
AU - Chai Y. , 
TI - Оптические характеристики собственных дефектов 4H-SiC, облученного 10-МэВ электронами с последующим отжигом
DP - 2020-11-27
TA - Журнал прикладной спектроскопии
SO - https://www.academjournals.by/publication/15960
AB - Для исследования дефектов кристаллов 4H-SiC использована низкотемпературная фотолюминесценция после облучения высокоэнергетическими электронами. Изучены характеристики отжига и зависимость температуры детектирования от доз облучения. Результаты показывают, что в облученном электронами кристалле 4H-SiC доминирует эмиссия, связанная с дефектами углеродная антиструктура—вакансия (VCCSi)+. С повышением температуры детектирования излучение уменьшается и сдвигается в красную область, а полная ширина на полувысоте увеличивается, что связано с повышением концентрации носителей в результате термической активации при высокой температуре. Интенсивность излучения максимальна при Дозе облучения 7.9 × 1018 эл/см2, затем она уменьшается. Это свидетельствует о повреждении решетки, вызванном длительным высокоэнергетическим облучением, что уменьшает интенсивность радиационного дефекта в спектре.