Ссылка для цитирования по ГОСТ

Zhang Y. , Wang K. , Wang H. , Tian Y. , Wang Y. , Li J. , Chai Y. Оптические характеристики собственных дефектов 4H-SiC, облученного 10-МэВ электронами с последующим отжигом // Журнал прикладной спектроскопии. 2020 Т.87, №6. С.891-896.