@article{Zhang Y. 2020-11-27,
author = { Zhang Y. ,  Wang K. ,  Wang H. ,  Tian Y. ,  Wang Y. ,  Li J. ,  Chai Y. },
title = {Оптические характеристики собственных дефектов 4H-SiC, облученного 10-МэВ электронами с последующим отжигом},
year = {2020},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Для исследования дефектов кристаллов 4H-SiC использована низкотемпературная фотолюминесценция после облучения высокоэнергетическими электронами. Изучены характеристики отжига и зависимость температуры детектирования от доз облучения. Результаты показывают, что в облученном электронами кристалле 4H-SiC доминирует эмиссия, связанная с дефектами углеродная антиструктура—вакансия (VCCSi)+. С повышением температуры детектирования излучение уменьшается и сдвигается в красную область, а полная ширина на полувысоте увеличивается, что связано с повышением концентрации носителей в результате термической активации при высокой температуре. Интенсивность излучения максимальна при Дозе облучения 7.9 × 1018 эл/см2, затем она уменьшается. Это свидетельствует о повреждении решетки, вызванном длительным высокоэнергетическим облучением, что уменьшает интенсивность радиационного дефекта в спектре.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15960},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15914},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}