<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Зарецкая Е. П.</author>
     <author>Гременок В. Ф.</author>
     <author>Иванов В. А.</author>
     <author>Станчик А. В.</author>
     <author>Бородавченко О. М.</author>
     <author>Жигулин Д. В.</author>
     <author>Осчелик С. </author>
     <author>Акчай Н. </author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, МИКРОСТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК Cu2SnS3</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>солнечный элемент</keyword>
    <keyword>Cu2SnS3</keyword>
    <keyword>тонкая пленка</keyword>
    <keyword>кристаллическая структура</keyword>
    <keyword>спектроскопия комбинационного рассеяния света</keyword>
    <keyword>фотолюминесценция</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2020</year>
    <pub-dates>
     <date>2020-06-30</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Тонкие пленки Cu2SnS3 (CTS) получены путем осаждения слоев Sn/Cu методом ВЧ распыления с последующим отжигом в атмосфере Ar/S с источниками S и Sn. По данным рентгеноструктурного анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что однофазные CTS-пленки моноклинной структуры со следами фазы CuxS формируются при температуре 520 °C. Методом сканирующей электронной микроскопии выявлена компактная и однородная микроструктура поликристаллических CTS-слоев. В спектрах фотолюминесценции пленок CTS моноклинной модификации проявляется одна широкая полоса в диапазоне энергий 0.7—1.0 эВ, обусловленная оптическими переходами электронов из зоны проводимости на глубокие энергетические уровни дефектов акцепторного типа.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15884</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15838</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
