RT - article
SR - Electronic
T1 - Влияние плотности поверхностных V-дефектов на лазерные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами, выращенных на кремниевых подложках
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2021-11-28
DO - 10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899
A1 - Данильчик А. В., 
A1 - Нагорный А. В., 
A1 - Ржеуцкий Н. В., 
A1 - Войнилович А. Г., 
A1 - Павловский В. Н., 
A1 - Луценко Е. В., 
YR - 2021
UL - https://www.academjournals.by/publication/15790
AB - Исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных на кремниевых подложках, с различными толщинами квантовых ям при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия и плотностью V-дефектов. Показано, что с ростом плотности V-дефектов происходит увеличение пороговой плотности мощности возбуждения генерации гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ.