17 Данильчик А. В. Нагорный А. В. Ржеуцкий Н. В. Войнилович А. Г. Павловский В. Н. Луценко Е. В. гетероструктура генерация лазерного излучения квантовые ямы поверхностный V-дефект InGaN GaN морфология поверхности 2021 2021-11-28 10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899 Журнал прикладной спектроскопии Исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных на кремниевых подложках, с различными толщинами квантовых ям при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия и плотностью V-дефектов. Показано, что с ростом плотности V-дефектов происходит увеличение пороговой плотности мощности возбуждения генерации гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ.  https://www.academjournals.by/publication/15790 https://www.academjournals.by/files/15744