%0 article
%A Данильчик А. В., 
%A Нагорный А. В., 
%A Ржеуцкий Н. В., 
%A Войнилович А. Г., 
%A Павловский В. Н., 
%A Луценко Е. В., 
%T Влияние плотности поверхностных V-дефектов на лазерные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами, выращенных на кремниевых подложках
%D 2021
%R 10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных на кремниевых подложках, с различными толщинами квантовых ям при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия и плотностью V-дефектов. Показано, что с ростом плотности V-дефектов происходит увеличение пороговой плотности мощности возбуждения генерации гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ. 
%U https://www.academjournals.by/publication/15790