@article{Данильчик А. В.2021-11-28,
author = { Данильчик А. В.,  Нагорный А. В.,  Ржеуцкий Н. В.,  Войнилович А. Г.,  Павловский В. Н.,  Луценко Е. В.},
title = {Влияние плотности поверхностных V-дефектов на лазерные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами, выращенных на кремниевых подложках},
year = {2021},
doi = {10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных на кремниевых подложках, с различными толщинами квантовых ям при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия и плотностью V-дефектов. Показано, что с ростом плотности V-дефектов происходит увеличение пороговой плотности мощности возбуждения генерации гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ. },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15790},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15744},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}