@article{Мухаммад А. И.2021-11-28,
author = { Мухаммад А. И.,  Гайдук П. И.},
title = {Влияние толщины n-Si подложки и уровня ее легирования на поглощающие свойства кремниевых плазмонных структур в инфракрасном диапазоне},
year = {2021},
doi = {10.47612/0514-7506-2021-88-6-887-894},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {С использованием метода конечных разностей во временной области рассчитаны спектры поглощения структур Si/SiO2/Si3N4/Si+ и Si/SiO2/Si+ с островковым поверхностным слоем в зависимости от толщины подложки и уровня ее легирования. Обнаружено, что толщина i-Si подложки не влияет на общую величину поглощения структуры. При этом увеличение толщины n-Si подложки приводит к уширению полосы поглощения интенсивностью >70 %. Установлено, что уровень легирования подложки оказывает влияние на поглощение структур и ширину полосы с поглощением >80 %. Показано, что при уровне легирования подложки в диапазоне 2 × 1019—5 × 1019 см–3 сохраняется широкая полоса поглощения интенсивностью >80 %. Для доказательства существования плазмонных эффектов проанализированы дисперсионные соотношения колебаний, возникающих в структуре Si+/SiO2/Si+ с неструктурированным поверхностным слоем. Установлено, что нарушение фазового синхронизма мод на обеих границах раздела Si/диэлектрик при существенной разнице между уровнями легирования подложки и поверхностного слоя может влиять на уменьшение поглощения. },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15789},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15743},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}