<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Бордун О. М.</author>
     <author>Бордун И. О.</author>
     <author>Кофлюк И. Н.</author>
     <author>Кухарский И. И.</author>
     <author>Медвидь И. И.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Влияние состава атмосферы высокочастотного распыления на плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках Y2O3</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>оксид иттрия</keyword>
    <keyword>тонкая пленка</keyword>
    <keyword>край фундаментального поглощения</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2021</year>
    <pub-dates>
     <date>2021-11-27</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.47612/0514-7506-2021-88-6-881-886</doi>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок Y2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при нанесении пленок в атмосфере аргона, кислорода или смеси данных газов край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов рассмотрены дифрактограммы полученных пленок и использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволяет определить радиус основного электронного состояния, радиус экранирования и среднеквадратичный потенциал в зависимости от атмосферы распыления. </abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15788</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15742</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
