RT - article
SR - Electronic
T1 - Проявления в ИК-люминесценции процессов кросс-релаксации NV-центров в слабых магнитных полях
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2021-11-08
A1 - Филимоненко Д. С., 
A1 - Ясинский В. М., 
A1 - Низовцев А. П., 
A1 - Килин С. Ф., 
A1 - Железко Ф. , 
YR - 2021
UL - https://www.academjournals.by/publication/15782
AB - Экспериментально и теоретически изучено влияние магнитного поля на флуоресценцию ансамбля NV-центров в алмазе. Обнаружено, что в области нулевого магнитного поля происходит локальное увеличение инфракрасного испускания NV-центров, связанного с синглет-синглетными переходами. Исследовано влияние мощности и поляризации лазерного излучения на амплитуду и форму обнаруженного локального максимума в ИК-люминесценции NV-центров. Построена восьмиуровневая фотофизическая модель NV-центра в присутствии произвольно направленного магнитного поля и на ее основе выполнен расчет интенсивности люминесценции, испускаемой ансамблем NV-центров, как в видимой, так и в инфракрасной областях спектра. Показано, что феноменологический учет в рамках данной модели процессов кросс-релаксации NV-центров между собой и с другими парамагнитными центрами в алмазе позволяет описать экспериментально наблюдаемые особенности флуоресценции ансамбля NV-центров в присутствии слабых магнитных полей.