17 Бордун О. М. Бордун Б. О. Кухарский И. И. Медвидь И. И. окись галлия тонкая пленка край фундаментального поглощения 2021 2021-05-28 Журнал прикладной спектроскопии Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А. https://www.academjournals.by/publication/15694 https://www.academjournals.by/files/15650