<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Соболев В. Вал.</author>
     <author>Калугин А. И.</author>
     <author>Антонов Е. А.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ПАРАМЕТРЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ И ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛОС ПЕРЕХОДОВ СОЕДИНЕНИЙ Mg&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;X (X — Si, Ge, Sn)</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>Mg2Si</keyword>
    <keyword>Mg2Ge</keyword>
    <keyword>Mg2Sn</keyword>
    <keyword>оптическая функция</keyword>
    <keyword>межзонный переход</keyword>
    <keyword>экситон</keyword>
    <keyword>диэлектрическая проницаемость</keyword>
    <keyword>объемные потери энергии электронов</keyword>
    <keyword>соотношения Крамерса—Кронига</keyword>
    <keyword>объединенная диаграмма Арганда</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2021</year>
    <pub-dates>
     <date>2021-01-29</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Определены и сопоставлены спектры 16 оптических функций группы соединений Mg2X (X — Si, Ge, Sn) в области 1—11 эВ при 77 К. Установлены их основные особенности и общие закономерности. Расчеты выполнены на основе экспериментальных спектров отражения R(E) с помощью соотношений Крамерса—Кронига и аналитических формул, связывающих оптические функции. Интегральные спектры мнимой части диэлектрической функции ε2(E) разложены на элементарные полосы переходов в области 1.5—6.0 эВ с использованием усовершенствованного беспараметрического метода объединенных диаграмм Арганда с учетом эффективного количества валентных электронов, формирующих отдельные элементарные полосы. У соединений Mg2X (X — Si, Ge, Sn) вместо пяти-шести максимумов и ступенек интегральных спектров выявлено в среднем в шесть раз больше элементарных компонент переходов, обусловленных экситонными и межзонными переходами. Определены и сопоставлены энергии максимумов и площади выделенных элементарных компонент полос переходов трех соединений. На основе известных теоретических расчетов для выявленных элементарных компонент переходов предложена их предполагаемая природа и локализация. Построена зависимость энергий максимумов выделенных полос переходов от параметра решетки трех соединений.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15646</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15602</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
