@article{Мухаммад А. И.2022-07-27,
author = { Мухаммад А. И.,  Гайдук П. И.,  Наливайко О. Ю.,  Колос В. В.},
title = {ИК-прозрачность островко- вых структур Si/SiO<sub>2</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/Si, сформированных методом селективного лазерного отжига},
year = {2022},
doi = {10.47612/0514-7506-2022-89-4-511-518},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методом селективного лазерного отжига сформированы периодические структуры Si/SiO2/Si3N4/Si с островковым поверхностным слоем. Исследование методом ИК-Фурье-спектрометрии показало уменьшение коэффициента пропускания островковой структуры, сформированной методом селективного лазерного отжига, по сравнению со структурой без отжига практически во всем исследуемом диапазоне (2—25 мкм). Уменьшение коэффициента пропускания может быть связано с наличием в поверхностном слое высоколегированных областей рекристаллизованного кремния. Анализ дисперсионных кривых, полученных методом конечных разностей во временной области, показал, что колебания в диапазоне 5—20 ТГц могут поддерживаться в слое периодических высоколегированных островков кремния в слое нелегированного кремния. Результаты исследования интерпретированы с учетом предположения о возникновении в структуре с островковым поверхностным слоем плазмоноподобных колебаний (“мнимых” поверхностных плазмонов). },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15540},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15498},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}