<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Толкачёв В. А.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Чисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводника</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>полупроводник</keyword>
    <keyword>запрещенная зона</keyword>
    <keyword>фотопроводимость</keyword>
    <keyword>запрещенная зона фотопроводимости</keyword>
    <keyword>однородность полупроводника</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2022</year>
    <pub-dates>
     <date>2022-02-02</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.47612/0514-7506-2022-89-1-43-50</doi>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>С положительным результатом тестируется возможность применения метода определения частоты чисто электронного перехода по молекулярным диффузным вибронным спектрам к определению ширины прямой запрещенной зоны (энергетической щели) полупроводников. Данным методом из спектра фотопроводимости определяется ширина прямой запрещенной зоны между валентной зоной и зоной фотопроводимости.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15451</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15410</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
