RT - article
SR - Electronic
T1 - Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2023-11-23
A1 - Бринкевич Д. И., 
A1 - Гринюк Е. В., 
A1 - Бринкевич С. Д., 
A1 - Просолович В. С., 
A1 - Колос В. В., 
A1 - Зубова О. А., 
A1 - Ластовский С. Б., 
YR - 2023
UL - https://www.academjournals.by/publication/15404
AB - Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы пленки фоторезиста (ФР) NFR 016D4, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Установлено, что при волновых числах <1600 см–1 наблюдается возрастание фонового поглощения структур ФР/Si, обусловленное воздействием электромагнитного излучения на кремниевую подложку и процессами рассеяния/отражения на границе раздела ФР/Si. Обнаружена асимметричность силового поля ароматического кольца в пленке NFR 016D4. Показано, что особенности спектров пленок ФР NFR 016D4 с большей толщиной обусловлены наличием остаточного растворителя. В облученных пленках обнаружено образование формальдегида в результате фрагментации гидроксиметильных остатков в составе фенолформальдегидной смолы. Радиационно-индуцированные процессы в фоторезистивных пленках NFR 016D4 при дозах до 2 ∙ 1015 см–1 происходят в основном при участии молекул остаточного растворителя либо на побочных продуктах синтеза фоторезистивной пленки.