RT - article
SR - Electronic
T1 - Использование сверхтонкой структуры спектра оптически детектируемого магнитного резонанса одиночного NV-дефекта в алмазе в квантовой сенсорике слабых магнитных полей
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2023-11-23
A1 - Кукин Н. С., 
A1 - Мурадова А. Р., 
A1 - Никитин А. К., 
A1 - Бухтияров А. А., 
A1 - Низовцев А. П., 
A1 - Семенов П. А., 
A1 - Васильев А. Н., 
A1 - Каргин Н. И., 
A1 - Смирнова М. О., 
YR - 2023
UL - https://www.academjournals.by/publication/15402
AB - Изучена возможность использования для измерения магнитного поля NV-дефектов в алмазе при комнатной температуре на нанометровых масштабах. Для этих целей обычно применяют образцы с высокой концентрацией NV-центров, что повышает уровень сигнала, но препятствует измерению неоднородного поля в масштабах молекул или наноструктур. Измерены параметры слабого магнитного поля с учетом поля Земли посредством измерения сверхтонкой структуры спектра оптически детектируемого магнитного резонанса для калибровки и определения разрешения датчика магнитного поля на одиночном NV-дефекте.