RT - article
SR - Electronic
T1 - Исследование взаимодействия атомов рубидия с поверхностью сапфира с использованием спектроскопической наноячейки
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2023-08-23
A1 - Саргсян А. , 
YR - 2023
UL - https://www.academjournals.by/publication/15379
AB - Экспериментально исследовано влияние диэлектрической поверхности на атомы Rb (D2-линии) при нанометровых расстояниях. Использование наноячейки, заполненной атомарным рубидием с клиновидным зазором, позволило исследовать влияние расстояния атомов в интервале 45—150 нм от поверхности окна, изготовленного из технического сапфира. При расстояниях от сапфировой поверхности <130 нм вследствие ван-дер-ваальсова взаимодействия происходит сильное уширение атомных переходов 85Rb и 87Rb, а их частотные сдвиги осуществляются в низкочастотную область спектра. Применение метода второй производной спектров поглощения наноячейки позволило измерить коэффициент ван-дер-ваальсова взаимодействия C3 = 1.8±0.3 кГц ∙ мкм3 для D2-линии Rb. Показано, что при толщине наноячейки 65±5 нм с увеличением плотности атомов происходит дополнительный красный сдвиг, обусловленный диполь-дипольным взаимодействием атомов Rb. Результаты могут быть использованы при разработке миниатюрных субмикронных устройств.