<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Саргсян А. </author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Исследование взаимодействия атомов рубидия с поверхностью сапфира с использованием спектроскопической наноячейки</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>наноячейка</keyword>
    <keyword>ван-дер-ваальсово взаимодействие</keyword>
    <keyword>атомы Rb</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2023</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-08-23</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Экспериментально исследовано влияние диэлектрической поверхности на атомы Rb (D2-линии) при нанометровых расстояниях. Использование наноячейки, заполненной атомарным рубидием с клиновидным зазором, позволило исследовать влияние расстояния атомов в интервале 45—150 нм от поверхности окна, изготовленного из технического сапфира. При расстояниях от сапфировой поверхности &amp;lt;130 нм вследствие ван-дер-ваальсова взаимодействия происходит сильное уширение атомных переходов 85Rb и 87Rb, а их частотные сдвиги осуществляются в низкочастотную область спектра. Применение метода второй производной спектров поглощения наноячейки позволило измерить коэффициент ван-дер-ваальсова взаимодействия C3 = 1.8±0.3 кГц ∙ мкм3 для D2-линии Rb. Показано, что при толщине наноячейки 65±5 нм с увеличением плотности атомов происходит дополнительный красный сдвиг, обусловленный диполь-дипольным взаимодействием атомов Rb. Результаты могут быть использованы при разработке миниатюрных субмикронных устройств.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15379</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15338</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
