17 Комаров Ф. Ф. Власукова Л. А. Мильчанин О. B. Пархоменко И. И. Berencen Y. Альжанова А. Е. Ван Тин Ƶuk J. кремний имплантация селена термообработка лазерный отжиг поглощение света в ИК-диапазоне 2023 2023-03-25 10.47612/0514-7506-2023-90-2-266-274 Журнал прикладной спектроскопии Слои кремния с концентрацией примеси селена до 1021 см–3 (превышает предел равновесной растворимости данной примеси в кремнии на четыре порядка величины) получены методом высокодозной ионной имплантации с последующим импульсным лазерным отжигом при плотностях энергии в импульсе от 0.5 до 2.5 Дж/см2. Резерфордовское обратное рассеяние ионов He+ показало, что после лазерного отжига до 70 % атомов внедренной примеси локализованы в узлах кристаллической решетки кремния. Гипердопированные селеном  слои  кремния  характеризуются  повышенным (до 45—55 %) поглощением в спектральном диапазоне 1100—2400 нм. После термообработки (550 °C, 30 мин+850 °C, 5 мин) возрастания ИК-поглощения в сравнении с исходным кремнием не обнаружено, что связывается с потерями селена в результате диффузионного перераспределения. Проведена теоретическая оценка процессов рекристаллизации слоев кремния, аморфизованных ионами селена, и диффузионного перераспределения примеси в условиях равновесных термообработок. https://www.academjournals.by/publication/15310 https://www.academjournals.by/files/15269