17 Зенькевич Э. И. Гапоненко С. В. фон Борцисковски К. полупроводниковые квантовые точки CdSe/ZnS порфирин температурные зависимости поглощения и фотолюминесценции экситон-фононное взаимодействие фазовая перестройка стабилизирующего слоя лиганда тушение фотолюминесценции перенос энергии туннелирование электрона 2023 2023-03-23 10.47612/0514-7506-2023-90-2-191-201 Журнал прикладной спектроскопии На основе современных моделей экситон-фононных взаимодействий выполнен анализ экспериментальных температурных зависимостей (77—293 К) спектров поглощения и фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек CdSe/ZnS (КТ). Обосновано, что формирование полосы поглощения первого экситонного перехода происходит с участием преимущественно оптических фононов ядра CdSe, тогда как свойства фотолюминесценции отражают взаимодействие с оптическими фононами слоя ZnS. В рамках квантово-механической модели проведен анализ тушения фотолюминесценции КТ CdSe/ZnS различных диаметров при формировании наноансамблей с молекулами порфиринов. Показано, что вероятность тушения убывает с возрастанием диаметра КТ, а сам процесс тушения в условиях квантового ограничения обусловлен туннелированием электрона возбужденной электронно-дырочной пары на поверхность КТ с последующей локализацией на поверхностных ловушках. https://www.academjournals.by/publication/15303 https://www.academjournals.by/files/15262