<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Wu W. </author>
     <author>Li B. </author>
     <author>Xiang X. </author>
     <author>Zu X. </author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Влияние температуры на видимую фотолюминесценцию термически отожженных нанокристаллических пленок PbSe</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>пленка PbSe</keyword>
    <keyword>температура отжига</keyword>
    <keyword>фотолюминесценция</keyword>
    <keyword>примесная фаза PbO</keyword>
    <keyword>плотность дислокаций</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2023</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-03-26</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Исследована фотолюминесценция (ФЛ) нанокристаллических пленок PbSe, отожженных при различных температурах. Видимая ФЛ на длинах волн 655 и 466 нм наблюдается для свежеприготовленных пленок PbSe, а повышенная интенсивность двух максимумов ФЛ связана с оптимизированным качеством кристаллизации наночастиц PbSe после отжига при 50–150°C. Поскольку температура отжига &amp;gt;200°С, сильное повреждение поверхности пленок PbSe, вызванное примесными фазами оксида и дефектами дислокаций, приводит к снижению кристалличности PbSe и более низким интенсивностям ФЛ, что подтверждено методом рентгеновской дифракции. При температуре отжига &amp;gt;200°С наблюдается еще один максимум излучения при 429 нм из-за появления примесной фазы PbO, интенсивность которого сильно зависит от содержания PbO, тогда как при температуре &amp;gt;350°С интенсивность ФЛ уменьшается из-за образования PbSeOx.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15293</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15252</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
