RT - article
SR - Electronic
T1 - Антиотражающее покрытие на основе муллита   для кремниевых солнечных элементов
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2024-11-18
A1 - Сулейманов С. Х., 
A1 - Гременок В. Ф., 
A1 - Станчик А. В., 
A1 - Хорошко В. В., 
A1 - Дыскин В. Г., 
A1 - Джанклич М. У., 
A1 - Кулагина Н. А., 
A1 - Хамдамов У. Б., 
YR - 2024
UL - https://www.academjournals.by/publication/15251
AB - Антиотражающие покрытия (АОП) повышают абсорбцию света и, следовательно, конверсионную эффективность солнечных батарей. В качестве материала АОП для кремниевого (Si) солнечного элемента выбран муллит, синтез которого осуществляется плавлением шихты, состоящей из смеси А12О3 и SiO2 при концентрации компонентов 75 и 25 мас.%. Установлено, что интегральное отражение (RS) АОП на основе муллита в ~6.0 раз меньше, чем для кремния, и в ~2.5 раза меньше RS для покрытия на основе нитрида кремния. Измерение электрических характеристик с помощью имитатора солнечного излучения до и после нанесения методом вакуумного напыления пленок муллита толщиной 80—85 нм на образцы солнечных элементов показало прирост тока короткого замыкания в среднем на 49.5 % и эффективности на 6.8 %.