RT - article
SR - Electronic
T1 - Оптические и электрические свойства пленок Sb2(SxSe1–x)3 для солнечных элементов
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2024-11-16
A1 - Тиванов М. С.,
A1 - Разыков Т. М.,
A1 - Кучкаров К. М.,
A1 - Ляшенко Л. С.,
A1 - Воропай Е. С.,
A1 - Утамуродова Ш. Б.,
A1 - Исаков Д. З.,
A1 - Махмудов М. А.,
A1 - Олимов А. Н.,
A1 - Музафарова С. А.,
A1 - Байко Д. С.,
YR - 2024
UL - https://www.academjournals.by/publication/15242
AB - Методом вакуумного термического испарения получены пленки Sb2(SxSe1–x)3 из порошков бинарных соединений Sb2S3 и Sb2Se3 при температуре подложки 300 °C. Исследовано влияние соотношения элементного состава S/(S+Se) на оптические и электрические свойства пленок Sb2(SxSe1–x)3. Показано, что ширина запрещенной зоны полученных пленок Sb2(SxSe1–x)3 увеличивается с ростом концентрации серы. Синтезируемые пленки обладают малой энергией Урбаха, что свидетельствует об их низкой дефектности. Из температурных зависимостей электрического сопротивления установлено наличие глубоких уровней в запрещенной зоне, энергия активации которых изменяется в диапазоне 0.5—0.8 эВ в зависимости от соотношения атомарной концентрации S/(S+Se). Подтверждена возможность получения эффективных солнечных элементов на основе Sb2(Sx,Se1-x)3 с использованием метода вакуумного осаждения из порошков бинарных соединений Sb2S3 и Sb2Se3.