17 Акобирова А. Т. Головчук В. И. Лукашевич М. Г. Мудрый А. В. Султонов Н. С. Живулько В. Д. теллурид кадмия пленка подложка выращивание пропускание отражение фотолюминесценция 2024 2024-07-30 Журнал прикладной спектроскопии В спектральном диапазоне 0.6—6.0 эВ при 300 К изучены пропускание и отражение, а также фотолюминесценция в интервале 0.8—1.7 эВ при 300 и 77 К тонких пленок теллурида кадмия, синтезированных на разных подложках методом термического испарения в квазизамкнутом объеме. Обнаружена сильная зависимость интенсивности и положения полос зона-зонной и экситонной люминесценции от качества подложки. Полосы экситонной люминесценции пленок на кремнии и стекле смещаются на 10 мэВ в коротковолновую область из-за наличия внутренних напряжений в пленках вследствие несоответствия параметров элементарных ячеек подложки и пленки. Область прозрачности сколотых со стекла пленок смещается в длинноволновую область из-за хвостов плотности электронных состояний в запрещенной зоне, обусловленных разупорядочением пленок и превышением длины волны света над величиной шероховатости пленок со стороны роста и зарождения. Исходя из полученных зависимостей интенсивности и спектрального положения линий фотолюминесценции наилучшее структурное совершенство характерно для пленок на кадмий-теллуровой подложке. https://www.academjournals.by/publication/15176 https://www.academjournals.by/files/15135