PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Комаров Ф. Ф., 
AU - Тин Ван , 
AU - Власукова Л. А., 
AU - Пархоменко И. Н., 
AU - Мильчанин О. В., 
TI - Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и резерфордовское обратное рассеяние кремния, гипердопированного селеном
DP - 2024-05-29
TA - Журнал прикладной спектроскопии
SO - https://www.academjournals.by/publication/15156
AB - Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия оценена возможность пассивации поверхности кремния селеном в результате высокодозной имплантации Se и лазерного отжига. Гиперпересыщенные селеном слои кремния формировались имплантацией ионов Se (140 кэВ, 6.1 · 1015 см–2) с последующим импульсным лазерным отжигом (λ = 694 нм, W = 2.0 Дж/см2, τ = 70 нс). Концентрация Se в подповерхностной области (2.0—2.5 нм) 0.67 ат.% (3.35 · 1020 см–3). Высокую концентрацию Se можно объяснить эффектом его накопления у поверхности в ходе лазерного отжига с образованием связей Si–Se. По данным РФЭС, связей Se–O у поверхности имплантированного слоя во время импульсного лазерного отжига не образовывалось. Выбранная плотность энергии лазерного импульса W = 2 Дж/см2 позволяет достичь высокого уровня структурного совершенства (>91 %) и концентрации Se в узлах решетки Si > 69 %.