@article{Комаров Ф. Ф.2024-05-29,
author = { Комаров Ф. Ф.,  Тин Ван ,  Власукова Л. А.,  Пархоменко И. Н.,  Мильчанин О. В.},
title = {Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и резерфордовское обратное рассеяние кремния, гипердопированного селеном},
year = {2024},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия оценена возможность пассивации поверхности кремния селеном в результате высокодозной имплантации Se и лазерного отжига. Гиперпересыщенные селеном слои кремния формировались имплантацией ионов Se (140 кэВ, 6.1 · 1015 см–2) с последующим импульсным лазерным отжигом (λ = 694 нм, W = 2.0 Дж/см2, τ = 70 нс). Концентрация Se в подповерхностной области (2.0—2.5 нм) 0.67 ат.% (3.35 · 1020 см–3). Высокую концентрацию Se можно объяснить эффектом его накопления у поверхности в ходе лазерного отжига с образованием связей Si–Se. По данным РФЭС, связей Se–O у поверхности имплантированного слоя во время импульсного лазерного отжига не образовывалось. Выбранная плотность энергии лазерного импульса W = 2 Дж/см2 позволяет достичь высокого уровня структурного совершенства (>91 %) и концентрации Se в узлах решетки Si > 69 %.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15156},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15115},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}