%0 article
%A Мухаммад А. И., 
%A Гайдук П. И., 
%T Поглощение ИК-излучения в структурах Ti/(Si)/SiO<sub>2</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/n<sup>+</sup>-Si с островковым поверхностным слоем различной горизонтальной геометрии
%D 2024
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X С помощью теоретически рассчитанных спектров поглощения инфракрасного излучения  в структурах Ti/SiO2/Si3N4/n+-Si с островковым поверхностным слоем показано, что с увеличением размеров островков n+-Si при неизменном периоде их размещения на поверхности максимум поглощения уширяется и сдвигается в область с большей длиной волны. Предполагается, что этот максимум связан с возбуждением плазмонных колебаний в поверхностном островковом слое. Показано, что структура с размером островков 3 мкм и периодом их размещения 6 мкм поглощает ~99 % падающего на нее излучения на длине волны, практически равной периоду (6.2 мкм). Другие полосы поглощения в спектральных диапазонах ~4 мкм и 9.0—9.5 мкм возникают независимо от размеров островков и связаны с поглощением в слое диоксида кремния. Установлено, что слой нелегированного кремния толщиной до 200 нм, расположенный между Ti-подложкой и слоем SiO2, незначительно уменьшает интенсивность и полуширину максимума плазмонного поглощения. 
%U https://www.academjournals.by/publication/15118